Ca2Si電子結構和光學性質的研究

Ca2Si電子結構和光學性質的研究

全部作者： 楊創華 謝泉 趙鳳娟 陳茜 任雪勇 梁艷 曾武賢 第1作者單位： 貴州大學 論文摘要： 采用第1性原理贗勢平面波方法系統的計算了Ca2Si電子結構和光學性質，其中包括能帶、態密度、介電函數、復折射率、吸收系數、光電導率和能量損失函數。計算結果顯示Ca2Si是典型的半導體，正交相結構有1個直接的帶隙，并且光學性質顯示出各向異性。Ca2Si立方相的計算結果也顯示是直接帶隙半導體，并且有很高的振子強度。從能帶和態密度的計算結果判斷出它們的光學性質主要由Si的3p態電子向Ca的3d態的帶間躍遷所決定。 關鍵詞： Ca2Si； 第1性原理計算； 電子結構； 光學性質 (瀏覽全文) 發表日期： 2007年07月11日 同行評議：

目前尋求與硅集成電路工藝.相兼容的光電子材料是半導體材料研究領域的熱點之1。Ca2Si就是潛在的有應用前景的1種材料。但是，目前關于該材料的實驗和理論的研究都處于起步階段。楊創華等人的論文從第1性原理出發，研究了Ca2Si的電子結構和光學性質，該出了該材料的能帶，態密度，介電函數，復折射率，吸收系數，光電導率和能量損失函數的有關結果，并證實立方相Ca2Si是直接帶隙半導體。論文得到的結果對于今后的研究具有較好的參考價值。該論文行文流暢，分析合理，邏輯性強。

綜合評價： 修改稿： 注：同行評議是由特聘的同行專家給出的評審意見，綜合評價是綜合專家對論文各要素的評議得出的數值，以1至5顆星顯示。

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