RTP預處理對直拉硅中銅沉淀行為及其電學性能的影響

RTP預處理對直拉硅中銅沉淀行為及其電學性能的影響

全部作者： 王維燕 楊德仁 第1作者單位： 浙江大學硅材料國家重點實驗室 論文摘要： 我們使用紅外掃描電鏡，電子束誘生電流和微波光電導衰減儀等設備，研究了RTP預處理對直拉硅中Cu沉淀的行為及其電學性能的影響。實驗發(fā)現(xiàn)，與沒有經過RTP預處理的情形相比較，經RTP氬氣氣氛1200℃或1100℃預處理，幾乎對硅中Cu沉淀的尺寸和大小沒有影響，但導致硅片復合強度的增強和少子壽命的降低。然而經RTP氧氣氣氛1200℃或1100℃的預處理，將會抑制Cu沉淀的形成并導致大尺寸Cu沉淀團聚，但仍然導致硅片少子壽命的降低。以上實驗結果表明，RTP預處理時注入的空位或自間隙硅原子會對硅中Cu沉淀的行為及其電學性能產生影響。此外，相比經RTP1100℃或氧氣氣氛下預處理的硅片，經RTP1200℃或氬氣氣氛下預處理的硅片具有更低的少子壽命。 關鍵詞： 硅，快速熱處理，壽命 (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2006年10月26日 同行評議：

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